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詳細情報 |
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| タイプ: | 遅い打撃のヒューズ | 次元: | 10.1*3.1*3.1 mm |
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| ボディ材料: | 陶磁器 | 速度: | 打撃を遅らせて下さい |
| 評価される電圧: | 250v | 評価される流れ: | 500mA~5A |
| ハイライト: | 3つのamp 250ボルトの遅い打撃のヒューズ,10.1mm 3つのamp 250ボルトの遅い打撃のヒューズ,3A陶磁器の遅い打撃のヒューズ |
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製品の説明
金は陶磁器のAmp 3つ250ボルトの遅い打撃のヒューズめっきした
照明装置10.1x3.1x3.1 mmの表面の台紙装置めっきされる金との陶磁器の遅い打撃のヒューズ1032 250V 3A SEI 003
承認
カナダおよび米国500mA~5Aのための確認された部品
TUV 500mA~5A
特徴
中断の評価:250V ACの50アンペア
ボディ材料:陶磁器
終了:金は真鍮の帽子をめっきした
テープ及び巻き枠:24mmテープ
パッキングの指定:EIA RS-481-2
量:巻き枠ごとの2,500 PC。
適用:電気通信装置システム力、照明装置
迎合的な無鉛材料およびRoHS
自由のハロゲン（参照する:Br900ppm、Cl900ppm、Br+Cl1500ppm）
単一の、多層設計
高温性能
+125°Cの実用温度範囲への-55°C
電気特徴
| 率の流れ | 1 inに | 2.5 inに |
| Min. | 最高。 | |
| 500mA-5A | 4時間 | 120秒 |
環境の指定
| 実用温度 | -55°Cへの+125°C |
| 振動 | MIL-STD-202Gの方法201 （10-55のHz、0.06インチ、総脱線） |
| 塩スプレー | MIL-STD-202Gの方法101、テスト条件B （48Hrs） |
| 絶縁抵抗 | MIL-STD-202Gの方法302、テスト条件A |
| 熱をはんだ付けする抵抗 | MIL-STD-202Gの方法210、テスト条件B （260°C）の10sec、 |
| 熱衝撃 | MIL-STD-202Gの方法107、テスト条件B （- +125°C）への65°C |
機械次元（mm）
発注情報
| P/N | アンペア 評価 [] |
電圧 評価 （v） |
体言 抵抗 冷たいオーム |
体言 溶けるIの² t ²の秒 |
| SEI .500 | 500mA | 250V | 0.5479 | 1.963 |
| SEI .750 | 750mA | 0.2600 | 3.375 | |
| SEI 001 | 1A | 0.1800 | 11.22 | |
| SEI 1.50 | 1.5A | 0.1027 | 14.85 | |
| SEI 002 | 2A | 0.0504 | 19.84 | |
| SEI 2.50 | 2.5A | 0.0370 | 20.50 | |
| SEI 003 | 3A | 0.0280 | 54.00 | |
| SEI 3.50 | 3.5A | 0.0199 | 57.82 | |
| SEI 004 | 4A | 0.0158 | 125.6 | |
| SEI 005 | 5A | 0.0120 | 185.0 |
表面台紙のヒューズの選択
ヒューズの選択は、それで、簡単な選ぶあなたの最悪の場合システム動作電流より高い現在の評価がちょうど少しある1つをようである。残念ながら、それは簡単なそれではない。そこに動作電流および適用温度のための考察を軽減している。Turn-onおよび他のシステム操作（プロセッサ スピードの変更のようにまたは起動）もたらすためまた場合のヒューズを選ぶ考察を要求するスパイクか現在のサージを。従ってあなたの適用に右のヒューズを選ぶことはでなくシステムによって引かれるわずかな流れを知っている程に簡単。
利点
•高い侵入の現在の抵抗の機能
•陶磁器の単一構造
•ニッケルおよびtin platingを用いる銀製の溶解の要素そして銀製の終了
•優秀な一定温度
•強いアークの抑制の特徴
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